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Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid
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Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Herstellung und der Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldefekttransistoren auf der Siliciumseite von 4H-Siliciumcarbid (4H-SiC).
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