Untersuchung zeitabhängiger Einfangs- und Rekombinationsprozesse in nitridischen Halbleitern

In dieser Arbeit wurden tiefe Defekte in Aluminiumnitrid und Galliumnitrid mittels stationärer und zeitaufgelöster Spektroskopieverfahren untersucht. Aufgrund dieser Messungen konnte zum ersten Mal die Beteiligung von DX-Zentren in optischen Übergängen in Nitriden nachgewiesen werden. Zudem wurde ein neues Messverfahren, die pulslängenabhängige Photolumineszenzspektroskopie, entwickelt und angewendet. Dieses Verfahren ermöglicht die Bestimmung des relativen Einfangquerschnitts von Donatoren, Akzeptoren und tiefen Zentren.