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Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid

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Erlanger Berichte Mikroelektronik

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Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid, Roland Weis

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2004
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