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Die Diplomarbeit analysiert die Auswirkungen des CAIBE-Prozesses auf GaAs-Halbleiter im Kontext der Ätztechniken für Halbleiter-Mikrostrukturen. Dabei wird die Balance zwischen den Vorteilen der Ätzverfahren und den Schäden, die sie an den Halbleiterkristallen verursachen, thematisiert. Die Forschung beleuchtet die Notwendigkeit, bestehende physikalische Modelle an neue Techniken und Anforderungen anzupassen, und zeigt die Relevanz von Halbleiter-Heterostrukturen für moderne Anwendungen in der Nachrichten- und Optoelektronik auf.
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CV-Messungen an geätzten epitaktisch gewachsenen Schichten, Björn Hoffmann
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