Kapazitiv gekoppelte Impulsbelastung zur Evaluierung der Festigkeit von integrierten Schaltungen gegenüber elektrostatischen Entladungen

More about the book

Die Arbeit untersucht die Problematik elektrostatischer Entladungen (ESD), die eine häufige Ursache für den Ausfall integrierter Schaltungen darstellen. Dabei wird das Charged Device Model (CDM) als gängiges ESD-Belastungsmodell analysiert, das jedoch in seiner Anwendung auf Wafer-Ebene eingeschränkt ist. Ziel der Diplomarbeit ist es, neue Ansätze zur frühzeitigen Erkennung und Analyse von ESD-Belastungen zu entwickeln, um die Zuverlässigkeit von Schaltungen zu verbessern. Die Arbeit wurde mit der Note 1.1 an der Universität der Bundeswehr München bewertet.